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看完你就全懂了(mos管的检测方法)

关注:28 发布时间:2022-06-08 10:12:07

1.电阻测量法识别结型场效应管的电极:根据场效应管pn结正反向电阻值不同的现象,可以识别结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表设在r1k档,选择两个电极,分别测量正向和反向电阻值。当两个电极的正向和反向电阻值相等且几千欧姆时,则两个电极分别为漏极d和源极s。

因为结型场效应管的漏极和源极是可以互换的,剩下的电极必须是栅极g,你也可以用万用表的黑色探针(红色探针)随意接触一个电极,另一个探针会依次接触另外两个电极,测量它们的电阻值。当两次测得的电阻值大致相等时,黑笔接触的电极为栅极,另外两个电极分别为漏极和源极。如果两次测得的电阻值都很大,说明是pn结的反向,也就是都是反向电阻,可以判断为n沟道fet,黑探针接栅极;如果两次测得的电阻值都很小,说明是正向pn结,也就是正向电阻,判断为p沟道fet,黑色探针也接在栅极上。如果没有出现上述情况,可以按照上述方法更换和测试黑色和红色探针,直到识别出网格。

2.通过测量电阻来确定场效应管的好坏:通过测量源极和漏极、栅极和源极、栅极和漏极、栅极g1和栅极g2之间的电阻值是否与场效应管手册中指示的电阻值一致来测量mos晶体管,以确定场效应管的好坏。具体方法:首先将万用表放在r10或r100档,测量源极s和漏极d之间的电阻,一般在几十欧到几千欧的范围内(从手册上可以知道不同型号的管子电阻值是不一样的)。如果测得的电阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得的电阻值无限大,可能是内极故障。然后将万用表置于r10k档,然后测量栅极g1与g2、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值。当所有电阻值都是无穷大时,管是正常的。如果上述电阻值测量值太小或有路径,则管破裂。需要注意的是,如果管内有两个网格破裂,可以采用器件更换法进行检测。

mos管的检测方法

3.用感应信号输入法估算场效应管的放大能力:具体方法:用万用表电阻的r100档,红探头接源s,黑探头接漏d,给场效应管加1.5v电源电压,此时,用表针指示漏源之间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极g,将人体的感应电压信号施加到栅极上。这样,由于管的放大效应,漏源极电压vds和漏极电流ib都会发生变化,也就是漏极和源极之间的电阻会发生变化,所以可以观察到指针摆动很大。如果手持格子手摆动幅度小,说明电子管放大能力差;手摆动幅度大,说明管子放大能力大。如果手不动,管子就断了。根据上述方法,我们用万用表的r100档测量结型场效应管3dj2f。首先打开管子的g极,测量漏源电阻rds为600。手握g极后,表针向左摆动,指示电阻rds为12k,说明管好,放大能力大。

4.通过测电阻来区分未标记的场效应管:首先通过测电阻来测量mos晶体管,找出有电阻的两个管脚,即源极s和漏极d,剩下的两个管脚是第一栅极g1和第二栅极g2。记下两个探针测得的源电极s和漏电极d之间的电阻值,通过调整探针再测一次,记下测得的电阻值,一旦电阻值变大,黑色探针连接的电极就是漏电极d;红色探针连接到源s.用这种方法识别的s极和d极,也可以通过估计管的放大能力来验证,即放大能力大的黑色探针接在d极上;红色探头接地至8极,两种方法的测试结果应该相同。当确定了漏极d和源极s的位置后,按照d和s对应的位置安装电路,一般g1和g2也会依次对齐,这样就确定了两个栅极g1和g2的位置,从而确定了管脚d、s、g1和g2的顺序。

5.通过测量反向电阻的变化来确定跨导的大小。在测量vmosfet n沟道增强型fet的跨导性能时,红色探针可以连接到源极s,黑色探针可以连接到漏极d,相当于在源极和漏极之间加上一个反向电压。这时电网打开,管的反向电阻值很不稳定。选择万用表的欧姆档作为r10k的高阻档,此时表内电压较高。用手触摸栅极g时,会发现管的反向电阻值变化明显,变化越大,管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用这种方法测量,反向电阻变化不大。

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